II-VI INFRARED: Materials: Gallium Arsenide

材料：ガリウム砒素

ガリウム砒素

半絶縁性GaAsは、レンズとリア鏡向け中出力と高出力CW炭酸ガスレーザーシステムの代替品を提供します。GaAsは、強靭と耐久性が重要なアプリケーションに特に有用です。GaAsは硬くて強度があるため、ちりまたは研磨子が光学面に滞留または衝突しやすい場合に適しています。基盤が柔らかいと、光学部品で最良のコーティングが使用されていても粒子がはまり込む場合があります。

GaAsは、光学部品アプリケーションではなく半導体アプリケーション用に製造されますので、質が高い光学部品を製造するには慎重な材料スクリーニングが不可欠です。II-VIでは、レーザー真空熱力測定能力と他のテクニックを使用して、光学性能が劣化する原因となる空隙、インクルージョンまたは他の欠陥をスクリーンします。

GaAs光学部品は、結晶の成長テクノロジーで通常10センチメートル以下の直径に限定されます。材料は、非吸湿性で、研究室とフィールドアプリケーションで安全に使用でき、強酸に接触したとき以外は、化学的に安定しています。

材料特性

光学特性

バルク吸収係数 @ 10.6µm

<= 0.01 /cm

屈折率の温度変化@ 10.6µm

149 x 10-6/°C

熱特性

熱伝導性@ 20° C

0.48 W/cm/°C

比熱

0.325 J/g/°C

線膨張率 @ 20° C

5.7 x 10-6/°C

機械特性

ヤング率

83 GPa (12.04 x 106 psi)

曲げ強度

138 MPa (20,000 psi)

ヌープ硬度

750 kg/mm2

密度

5.37 g/cm3

ポアソン比

0.31


波長
(µm)

屈折率

波長
(µm)

屈折率

波長
(µm)

屈折率

波長
(µm)

屈折率

2.6

3.3239

5.4

3.2991

8.2

3.2868

11.0

3.2725

2.8

3.3204

5.6

3.2982

8.4

3.2859

11.2

3.2713

3.0

3.3169

5.8

3.2972

8.6

3.2849

11.4

3.2701

3.2

3.3149

6.0

3.2963

8.8

3.2840

11.6

3.2690

3.4

3.3129

6.2

3.2955

9.0

3.2830

11.8

3.2678

3.6

3.3109

6.4

3.2947

9.2

3.2818

12.0

3.2666

3.8

3.3089

6.6

3.2939

9.4

3.2806

12.2

3.2651

4.0

3.6069

6.8

3.2931

9.6

3.2794

12.4

3.2635

4.2

3.3057

7.0

3.2923

9.8

3.2782

12.6

3.2620

4.4

3.3045

7.2

3.2914

10.0

3.2770

12.8

3.2604

4.6

3.3034

7.4

3.2905

10.2

3.2761

13.0

3.2589

4.8

3.3022

7.6

3.2896

10.4

3.2752

13.2

3.2573

5.0

3.3010

7.8

3.2887

10.6

3.2743

13.4

3.2557

5.2

3.3001

8.0

3.2878

10.8

3.2734

13.6

3.2541