II-VI INFRARED:ビームスプリッタ

ビームスプリッタ



(ビームスプリッタでは、反射率の特注も可能です。詳細につきましては、II-VI セールス担当者にお問い合わせください。)

炭酸ガスレーザーシステム用ビームスプリッタ

ビームスプリッタは、反射エネルギーの一定の割合を反射させるために使用され、残りのエネルギーは透過されます。たいていの場合、ビームスプリッタは、角度、波長、偏光に影響されやすいです。

大半のビームスプリッタ・コーティングは、偏光に大いに左右されます。こうして、任意に偏光されたレーザーのように、ソースの偏光状態が時間と共に変化すると、ビームスプリッタ透過も同様に時間と共に変化します。

ここに記載されているビームスプリッタは、入射角度が45度、波長10.6µm で使用するように設計されています。この入射角では、s偏光とp偏光の透過/反射値に有意さが生じる可能性があります。したがって、このような光学部品を注文する際は、レーザーの偏光状況を指定することが大切です。s 偏光とp偏光の定義については偏光チュートリアルを参照してください。

当社の標準ビームスプリッタは、6-10分角の楔で供給されます。この楔量は、エタロン効果の原因となり、光学的パフォーマンスを妨害する2番目の表面の反射による干渉を削減します。II-VIのすべてのビームスプリッタは、吸収を最小化し、損傷閾値を上昇するためにEフィールドが最適化されています。

直径

縁厚

反射率

入射

パーツ番号

明細

インチ

(mm)

インチ

(mm)

@ 10.6µm

角度

偏光

813441

ZnSe

0.75

19.05

0.080

2.03

50%

45º

R-Pol

604488

ZnSe

1.00

25.40

0.120

3.05

50%

45º

R-Pol

256816

ZnSe

1.00

25.40

0.120

3.05

50%

45º

P-Pol

921686

ZnSe

1.00

25.40

0.120

3.05

50%

45º

S-Pol

947771

ZnSe

1.00

25.40

0.120

3.05

50%

45º

I-Pol*

381053

ZnSe

1.50

38.10

0.120

3.05

50%

45º

P-Pol

617751

ZnSe

1.50

38.10

0.120

3.05

50%

45º

S-Pol

931727

ZnSe

1.50

38.10

0.120

3.05

50%

45º

I-Pol*

839010

ZnSe

2.00

50.80

0.200

5.08

50%

45º

R-Pol

965624

ZnSe

2.00

50.80

0.200

5.08

50%

45º

P-Pol

622394

ZnSe

2.00

50.80

0.200

5.08

50%

45º

S-Pol

461951

ZnSe

2.00

50.80

0.200

5.08

50%

45º

I-Pol*

*注:I-Pol は偏光に左右されません。すなわち、すべての偏光(S, P, R)に使用されます。I-Pol ビームスプリッタは、可視波長に対して不透明です。ビームスプリッタの適切な偏光を決めるには、偏光チュートリアルを参照してください。


ビームスプリッタの代替品

ビームスプリッタの名目上の反射と偏光状態が実質的に無数あるため、II-VIは、標準的なビームスプリッタの在庫を維持していません。従って、ビームスプリッタを生産する場合、お客様が要求する精密な仕様に合わせるため、特殊コーティングを実行します。このサービスにはコーティングロット料がかかります。

ただし、一定の状況では、入射ビームスプリッタの角度が45度、入射角度が0度用に設計された当社の標準部分反射コーティングの使用が可能です。このコーティングを実施する場合、ビームスプリッタも2番目の表面反射防止膜も45度で使用するために設計されません。

そのため、このパーツに標準公差をつけるのは不可能です。幸い、これらのパーツは標準コーティングのため、特殊なビームスプリッタを製作するよりもコストが相当少なくてすみ、価格の優位性が性能で不利な点を上回ることがあります。

45度で操作されるビームスプリッタを使用するには、干渉効果を削減するため、基盤にわずかに楔が必要です。45度で使用する標準の0度の入射部分ミラーを購入する場合、楔角が6-10分角の基盤を注文することが不可欠です。さらに、注文の際に貴社のパーツの反射率についてレーザー試験をリクエストされますと、当社はs偏光とp偏光で無料で試験を実施します。

(%) 反射率(%) @

(%)反射率(%) @

(%)反射率(%) @

(%)反射率(%) @

基盤

通常入射

45º AOI S-偏光

45º AOI P-Pol

45º AOI R-Pol

ZnSe

0.2

<=2.0

<=5.0

<=1.5

ZnSe

40

52.6

21.3

37.0

ZnSe

50

62.7

29.3

46.0

ZnSe

55

66.1

30.7

48.2

ZnSe

60

72.0

38.6

55.3

ZnSe

65

74.9

40.4

57.6

ZnSe

70

79.0

45.2

62.1

ZnSe

75

83.2

50.8

67.0

ZnSe

80

87.1

57.5

72.3

ZnSe

85

91.1

65.8

78.5

ZnSe

90

92.7

67.0

79.8

ZnSe

95

97.3

82.1

89.7

ZnSe

99

99.1

91.5

95.1

ZnSe

99.5

99.8

93.8

96.5

Ge

99

99.6

96.5

98.0

Ge

99.5

99.8

98.6

99.2

GaAs

99.5

99.8

98.3

99.2

GaAs

99.7

99.6

96.5

98.0

注:エタロンの可能性を削減するには、ビームスプリッタとビームスプリッタの代替品に6-10分の楔を指定することを勧めます。